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型号 IPB021N06N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPB021N06N3 G PDF
代理商 IPB021N06N3 G
产品变化通告 Product Discontinuation 26/Jul/2012
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 275nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 23000pF @ 30V
功率 - 最大 250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB021N06N3 G-ND
IPB021N06N3 GTR
SP000452248
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